英飛凌推進300毫米氮化鎵制造 鞏固IDM市場領先地位

  ICC訊  隨著氮化鎵（GaN）半導體需求的持續(xù)增長，英飛凌科技（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）正抓住這一趨勢，鞏固其作為GaN市場領先集成器件制造商（IDM）的地位。日前，公司宣布其可擴展的300毫米GaN晶圓制造進展順利，首批樣品將于2025年第四季度向客戶提供。此舉將使英飛凌進一步擴大客戶群，并強化其在GaN領域的領先優(yōu)勢。

  作為電力系統(tǒng)領域的領導者，英飛凌掌握了三種關鍵材料技術：硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。GaN半導體具有更高的功率密度、更快的開關速度和更低的功率損耗，能夠?qū)崿F(xiàn)更小型化的設計，從而降低智能手機充電器、工業(yè)及人形機器人、太陽能逆變器等電子設備的能耗和發(fā)熱。

  英飛凌GaN業(yè)務線負責人Johannes Schoiswohl表示：“我們?nèi)嫔壍?00毫米GaN制造能力將使我們能夠更快地為客戶提供最高價值，同時推動硅基和GaN產(chǎn)品的成本趨近。在宣布突破300毫米GaN晶圓技術近一年后，我們很高興看到轉(zhuǎn)型進程按計劃推進，并且行業(yè)已認識到英飛凌GaN技術的重要性，這得益于我們IDM戰(zhàn)略的優(yōu)勢。”

  英飛凌的制造策略主要基于IDM模式，即擁有從設計、制造到最終產(chǎn)品銷售的完整半導體生產(chǎn)流程。公司的自主制造戰(zhàn)略是市場差異化的關鍵，提供了高質(zhì)量、更快上市時間以及卓越的設計和開發(fā)靈活性等優(yōu)勢。英飛凌致力于支持其GaN客戶，并可根據(jù)需求擴展產(chǎn)能，以滿足他們對可靠GaN電源解決方案的需求。

  憑借技術領導力，英飛凌成為首家在其現(xiàn)有大規(guī)模制造基礎設施中成功開發(fā)300毫米GaN功率晶圓技術的半導體制造商。與成熟的200毫米晶圓相比，300毫米晶圓的生產(chǎn)技術更先進，效率顯著提高，因為更大的晶圓直徑可使每片晶圓生產(chǎn)的芯片數(shù)量增加2.3倍。隨著GaN功率半導體在工業(yè)、汽車、消費電子及計算與通信應用（如AI系統(tǒng)電源、太陽能逆變器、充電器、適配器和電機控制系統(tǒng)）中的快速普及，英飛凌龐大的GaN專家團隊和最廣泛的行業(yè)IP組合將成為關鍵支撐。

  市場分析師預計，到2030年，功率應用領域的GaN收入將以每年36%的速度增長，達到約25億美元（1）。英飛凌的專用制造產(chǎn)能和強大的產(chǎn)品組合（過去一年已發(fā)布40多款新GaN產(chǎn)品），使其成為尋求高質(zhì)量GaN解決方案客戶的首選合作伙伴。

  （1）Yole Group；《功率SiC和GaN化合物半導體市場監(jiān)測》，2025年第二季度

  來源：www.infineon.com