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晶圓廠支出,暴漲

摘要:2025-2026 年全球半導體資本支出大幅增長,臺積電、三星、美光等擴產(chǎn)積極,IDM 整體下滑;馬斯克 Terrafab 廠 2026 年投入 30 億美元;支出占比回落,行業(yè)暫不存產(chǎn)能過剩。

  ICC訊   半導體情報公司 (Semiconductor Intelligence) 估計,2025 年半導體行業(yè)總資本支出 (CapEx) 為 1660 億美元,較 2024 年增長 7%。我們預計 2026 年資本支出將達到 2000 億美元,較 2025 年增長 20%。臺積電 (TSMC) 是 2024 年最大的資本支出方,資本支出達 409 億美元,占總額的 25%。臺積電預計 2026 年資本支出將在 520 億美元至 560 億美元之間,較 2025 年增長 27% 至 37%。該公司指出,5G、人工智能 (AI) 和高性能計算 (HPC) 是推動資本支出增長的主要因素。除 GlobalFoundries 預計增長 70% 外,其他晶圓代工廠預計 2026 年資本支出將持平或下降。

  3月21日,埃隆·馬斯克宣布了Terrafab晶圓廠的計劃,該廠將為馬斯克旗下的特斯拉、SpaceX和xAI等公司提供半導體器件。Terrafab晶圓廠將建于德克薩斯州奧斯汀,投資額在200億至250億美元之間。建成后,該廠將采用2納米工藝節(jié)點,每月可生產(chǎn)100萬片晶圓。Tech Insider預測,Terrafab將于2028年開始初步投產(chǎn),并于2032年全面投產(chǎn)。250億美元的投資分攤到六年,平均每年略高于40億美元。Terrafab將于2026年購置土地、建設基礎設施并可能開始建設。我們預計Terrafab在2026年的資本支出將達到30億美元。由于Terrafab生產(chǎn)的器件將供馬斯克旗下公司使用,而非在公開市場上銷售,因此我們將Terrafab歸類為晶圓代工廠。

  到2026年,存儲器公司將占資本支出的最大比例,達到45%。三星宣布將在2026年投入超過110萬億韓元(約合740億美元),以“鞏固其在人工智能半導體時代的領先地位”。我們估計,這筆投資中約有340億美元將用于研發(fā)和非半導體領域的資本支出,剩余的400億美元將用于半導體領域的資本支出,比2025年增長20%。美光科技和SK海力士在2026年的資本支出預計也將分別增長超過40%。

  2025年,集成器件制造商(IDM)的資本支出為413億美元,較2024年下降25%。預計2026年IDM的資本支出將再次下降約9%。IDM資本支出的下降主要是由于人工智能(AI)推動了市場增長。AI半導體市場的大部分產(chǎn)品由存儲器公司和無晶圓廠公司(如英偉達)供應。英特爾2025年的資本支出為177億美元,較2024年下降29%。英特爾預計2026年的資本支出將持平或下降。多年來,英特爾一直與三星和臺積電并列全球三大資本支出公司之列。2025年,英特爾的資本支出被SK海力士超越,預計2026年將被美光科技超越。德州儀器2026年的資本支出預計在20億至30億美元之間,低于2025年的46億美元,以適應市場變化。意法半導體和英飛凌科技都計劃在 2026 年增加資本支出。

  相對于半導體市場而言,合適的資本支出水平是多少?半導體市場波動性極大。過去四十年間,年增長率從1984年的46%到2001年的32%不等。盡管隨著行業(yè)的成熟,波動性有所降低,但近幾年來,市場規(guī)模仍呈現(xiàn)下降趨勢:2023年下降8%,2025年增長26%。半導體公司需要提前數(shù)年規(guī)劃產(chǎn)能。建造一座新的晶圓廠大約需要兩年時間,此外還需要額外的時間進行規(guī)劃和融資。因此,半導體資本支出與半導體市場規(guī)模的比率波動很大,如下所示。


  半導體資本支出占市場規(guī)模的比例波動較大,最高曾達34%,最低曾達12%。五年平均比例在18%至28%之間。1980年至2025年期間,半導體資本支出占市場規(guī)模的23%。2023年,該比例為31.1%,是過去45年中僅有的七次超過30%的情況之一。五年平均比例為28.2%,是自1980年以來第三次超過28%。該比例在2024年降至25%,2025年降至21%。我們目前的預測是,該比例將在2026年降至19%,五年平均比例將降至24%。因此,盡管預計2026年半導體市場將增長20%,但總資本支出似乎并未超過半導體市場的增長速度。如果半導體市場在未來幾年繼續(xù)保持健康增長,該行業(yè)應該不會出現(xiàn)產(chǎn)能過剩的情況。

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