臺(tái)積電表示，晶圓測(cè)試、光纖陣列單元與高速光學(xué)封裝組裝三大環(huán)節(jié)的技術(shù)突破，將是決定CPO能否順利規(guī)模化的關(guān)鍵。

2025-2026 年全球半導(dǎo)體資本支出大幅增長(zhǎng)，臺(tái)積電、三星、美光等擴(kuò)產(chǎn)積極，IDM 整體下滑；馬斯克 Terrafab 廠 2026 年投入 30 億美元；支出占比回落，行業(yè)暫不存產(chǎn)能過剩。

美國(guó)推動(dòng)芯片制造回流本土，從德州 GlobalWafers 晶圓加工，到臺(tái)積電亞利桑那廠芯片制造，再到休斯敦富士康服務(wù)器組裝，雖起步晚于亞洲，意在補(bǔ)齊供應(yīng)鏈戰(zhàn)略短板。

英偉達(dá)GTC 2026大會(huì)將于3月15日在圣何塞舉行，首席執(zhí)行官黃仁勛將揭曉"令世界驚訝"的全新芯片，外界普遍猜測(cè)為采用臺(tái)積電A16（1.6nm）工藝的Feynman處理器，預(yù)計(jì)2028年啟動(dòng)生產(chǎn)。

臺(tái)積電宣布升級(jí)其日本熊本第二工廠至3納米制程，預(yù)計(jì)總投資高達(dá)200億美元，旨在快速擴(kuò)充產(chǎn)能以滿足全球AI芯片強(qiáng)勁需求。此舉將顯著提升日本在先進(jìn)半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的地位，首批3納米芯片預(yù)計(jì)2028年量產(chǎn)。

三星電子得州泰勒芯片工廠獲臨時(shí)運(yùn)營(yíng)批準(zhǔn)，將于今年下半年量產(chǎn)，首要為特斯拉生產(chǎn) AI5 芯片，后續(xù)推 AI6 芯片，目標(biāo) 2 納米芯片訂單增長(zhǎng)超 130%，臺(tái)積電也擬擴(kuò)建美國(guó)工廠參與競(jìng)逐該訂單。

臺(tái)積電計(jì)劃在2026年投入創(chuàng)紀(jì)錄的520億至560億美元資本支出以擴(kuò)充產(chǎn)能，同比增幅最高可達(dá)37%。盡管如此，分析師普遍認(rèn)為，未來數(shù)年其先進(jìn)制程產(chǎn)能仍將落后于AI芯片的爆發(fā)式需求，這為英特爾、三星等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手提供了市場(chǎng)機(jī)會(huì)。

格芯（GlobalFoundries）與臺(tái)積電簽署技術(shù)許可協(xié)議，獲得650V和80V氮化鎵技術(shù)授權(quán)。此舉將加速格芯面向數(shù)據(jù)中心、工業(yè)和汽車客戶的下一代GaN產(chǎn)品開發(fā)，并為其佛蒙特州伯靈頓工廠的量產(chǎn)鋪平道路，計(jì)劃于2026年啟動(dòng)生產(chǎn)。

定制ASIC設(shè)計(jì)公司Alchip與光學(xué)I/O技術(shù)公司Ayar Labs聯(lián)合發(fā)布了一款集成光學(xué)I/O引擎的AI加速器參考設(shè)計(jì)平臺(tái)。該設(shè)計(jì)基于臺(tái)積電COUPE技術(shù)，將八個(gè)TeraPHY光學(xué)芯片與計(jì)算核心、HBM等集成，可實(shí)現(xiàn)單封裝雙向200-250 Tb/s帶寬，較現(xiàn)有GPU提升超一個(gè)數(shù)量級(jí)，旨在解決大規(guī)模AI推理的互聯(lián)與內(nèi)存擴(kuò)展挑戰(zhàn)。

臺(tái)積電宣布將在兩年內(nèi)逐步淘汰6英寸晶圓廠，其位于臺(tái)灣的Fab 2將于2027年停產(chǎn)。這一戰(zhàn)略調(diào)整旨在轉(zhuǎn)向更大尺寸晶圓生產(chǎn)，提升先進(jìn)制程競(jìng)爭(zhēng)力。業(yè)內(nèi)推測(cè)該廠房可能改造為先進(jìn)封裝基地，以配合300毫米晶圓先進(jìn)制程需求。

AI技術(shù)正推動(dòng)先進(jìn)封裝市場(chǎng)快速發(fā)展，2024年市場(chǎng)規(guī)模達(dá)450億美元，預(yù)計(jì)2030年將突破800億美元。面板級(jí)封裝(FOPLP)、玻璃基板和共封裝光學(xué)(CPO)等新技術(shù)成為行業(yè)焦點(diǎn)，臺(tái)積電、三星和英特爾等巨頭正加大投資布局。